درباره وبلاگ




مدیر وبلاگ : آیدا امیری
موضوعات
نویسندگان
آمار وبلاگ
  • کل بازدید :
  • بازدید امروز :
  • بازدید دیروز :
  • بازدید این ماه :
  • بازدید ماه قبل :
  • تعداد نویسندگان :
  • تعداد کل پست ها :
  • آخرین بازدید :
  • آخرین بروز رسانی :
قیمت ادکلن مردانه ورساچه VERSACE
صفحه نخست             تماس با مدیر           پست الکترونیک               RSS                  ATOM
مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری

قیمت:110000ریال

موضوع  :

ترجمه مقاله مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری

    فرمت فایل: WORD (قابل ویرایش)

پروژه کارشناسی ارشد برق

چکیده

در این مقاله، در مورد چالشهای مختلف کار در ناحیه زیرآستانه ای در مدارهای با فناوری CMOS 65 نانومتر، بحث می شود. مدارهای گوناگونی برای یافتن بهترین آرایش در ناحیه کاری زیرآستانه ای مورد بررسی قرار می گیرد و در کار با ولتاژهای تغذیه بسیار پایین شبیه سازی می گردد. برای پشتیبانی از مباحث نظری انجام شده، آرایشهای گوناگون مداری مورد آزمایش و شبیه سازی قرار می گیرد. جنبه های گوناگون مدارهای فلیپ فلاپ با جزییات تشریح می شود تا بهترین توپولوژی برای استفاده در ولتاژهای تغذیه بسیار پایین و کاربردهای بسیار کم توان بررسی شود. نتایج شبیه سازی نشان می دهد مصرف توان در مدارهای پیشنهادی این مقاله، مقایسه با دیگر فلیپ فلاپ ها حداقل 23% کاهش می یابد. همچنین زمان راه اندازی و زمان نگهداری نیز بهبود می یابد.

کلمات کلیدی: ولتاژ پایین، کم توان، زیرآستانه، مقیاس نانو

فایل محتوای:

  1. اصل مقاله لاتین 5صفحه IEEE
  2. متن ورد ترجمه شده بصورت کاملا تخصصی 13صفحه



جهت دانلود محصول اینجا کلیک نمایید





نوع مطلب :
برچسب ها : ترجمه مقاله مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری، پروژه کارشناسی ارشد برق، ترجمه مقاله، زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری، نانومتری،
لینک های مرتبط :




 
 
برچسب ها
پیوندها
آخرین مطالب
 
   
شبکه اجتماعی فارسی کلوب | Buy Website Traffic | Buy Targeted Website Traffic